IC晶圓機(jī)械拋光理想材料
CMP研磨環(huán)
??????? 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝是硅晶圓生產(chǎn)中非常重要的一個(gè)步驟。晶圓尺寸越做越大,芯片越做越小,隨著光刻機(jī)和化學(xué)蒸鍍技術(shù)上的提升,芯片上的線寬越來越小。對(duì)晶片表面拋光的要求也越來越高,CMP的拋光工藝也越來越精密,我們可提供機(jī)械拋光中極具成熟的PPS CMP研磨環(huán)。
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?????? 在化學(xué)機(jī)械拋光過程中,由于研磨環(huán)必須在拋光過程中夾住晶圓,CMP環(huán)緊密接觸晶圓,需要極高的粗糙度,拋光中材料會(huì)與不同的化學(xué)液接觸?;瘜W(xué)液會(huì)對(duì)拋光組件產(chǎn)生腐蝕。此外,材料還需要承受一定的機(jī)械負(fù)載,因此材料應(yīng)具有良好的彈性、韌性或強(qiáng)度。
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?????? 整個(gè)CMP過程中,高純度至關(guān)重要。因此,研磨環(huán)還必須具有很高的純度。這意味著材料不應(yīng)被鋁或銅等金屬污染,以避免劃傷晶圓表面。同時(shí),研磨環(huán)的材料應(yīng)具有低滲氣性能。
? ?????所以要制造CMP研磨環(huán),需要材料具有極高的加工精度和尺寸穩(wěn)定性,以減少晶圓中微刮傷的發(fā)生幾率,確保提高可用IC的產(chǎn)量。尺寸穩(wěn)定性可能會(huì)受高機(jī)械負(fù)載、高溫或潮濕環(huán)境的影響。
理想的材料
??????? 通常,研磨環(huán)采用PPS材料。
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??????? PPS材料的特點(diǎn)是具有較高的耐磨性,良好的耐化學(xué)性和耐溶劑性,以及良好的摩擦性能,高純的潔凈型材料,不會(huì)污染晶圓,是一款即可滿足CMP高精度研磨需求的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械拋光材料,比PEEK成本更低,目前,為應(yīng)對(duì)CMP大量的需求,
已經(jīng)可提供環(huán)形料,純度和質(zhì)密性更高,更加凸顯性價(jià)比。
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??????? PEEK材料的特點(diǎn)是具有更高的低磨擦系數(shù),相比PPS的摩擦性能更優(yōu)異,更全面且穩(wěn)定的耐化學(xué)性和耐溶劑性,更寬的耐高溫范圍,使材料具有長期磨擦峰值下具有更熱穩(wěn)定性,相對(duì)工況下,使用時(shí)間更長。但成本比PPS上升至少40%
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??????? CMP研磨環(huán)近幾年有更多新型材料推出,提升耐磨損和熱穩(wěn)定性,材料科技的進(jìn)步旨在提升IC的良率和產(chǎn)量。